天津大学天津纳米颗粒与纳米体系世界研讨中心马雷教授团队在半导体石墨烯范畴获得明显开展，霸占了长期以来阻止石墨烯电子学开展的要害技术难题，成功制备出高迁移率半导体外延石墨烯，体现出了10倍于硅的功能。
《天然》杂志网站现在以《碳化硅上成长的超高迁移率半导体外延石墨烯》为题在线发布了这一研讨成果。
石墨烯，是首个被发现可在室温下安稳存在的由单层原子或分子组成的晶体，具有优异才能的光学、电学、力学特性，在资料学、微纳加工、动力、生物医学和药物传递等方面具有极端严重的使用远景，被以为是一种未来革命性的资料。可是其特有的零带隙的结构，是困扰石墨烯研讨者数十年的难题。怎么翻开带隙是敞开“石墨烯电子学”大门的“要害钥匙”。
马雷教授研讨团队经过对外延石墨烯成长进程的准确调控，成功地在石墨烯中引入了带隙，发明了一种新式安稳的半导体石墨烯。这项科技经过对成长环境的温度、时刻及气体流量进行严控，保证了碳原子在碳化硅衬底上能构成高度有序的结构。这种半导体石墨烯不仅仅具有带隙，在室温下也具有远超过硅资料的电子迁移率，而且具有硅资料所不具有的共同性质。
据介绍，该项研讨选用立异的准平衡退火办法制备的超大单层单晶畴半导体外延石墨烯，具有成长面积大、均匀性高、工艺流程简略、本钱低价等优势，弥补了传统出产的根本工艺的缺乏,其室温迁移率优于现在一切单层晶体至少一个数量级，根本满意了工业化使用需求。
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